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二极管BZT52C3V0W,稳压二极管BZT52C3V0W

  • 型号/规格:

    BZT52C3V0W

  • 品牌/商标:

    中光

  • 封装形式:

    SOD-123

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    散装

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商品信息

  BZT52C3V0W稳压二极管特性:

  表面材料:硅

  最大功耗:500mW

  封装:SOD-123

  BZT52C系列稳压二极管的参数(T=25℃):

BZT52C系列稳压二极管参数

 

  二极管击穿有哪3种情况?

  二极管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。

  (1)雪崩击穿

  对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。

  (2)齐纳击穿

  对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。

  (3)热击穿

  在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,使结温升高,电流变大,循环反复的结果,超过PN结的允许功耗,使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二极管将发生永久性损坏。

  对于硅PN结,击穿电压在7V以上的为雪崩击穿;4V以下的为齐纳击穿;在4~7V之间的两种情况都有。无论哪种击穿,只要控制反向电流的数值不致引起热击穿,当反向电压下降到击穿电压以下,其性能可以恢复到未击穿前的状况。

 

联系方式

企业名:常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司

类型:原厂制造商

电话: 0519-69806757
0519-69806757
0519-69806757

手机:
18861495296
13511665920

联系人:芮小姐/王先生/胡小姐

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邮箱:350249299@qq.com

地址:江苏常州江苏省常州武进经济开发区河虹路6号

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